標(biāo)題：圓片制作各種圖形對測量設(shè)備的要求是不同的
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作者:yiyi發(fā)布
時間:2018-9-30 0:41:39
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正文:
圓片制作各種圖形對測量設(shè)備的要求是不同的
在掩膜及圓片制作中，對幾何尺寸的測量是決定工作質(zhì)量好壞的最后
判決。在超平整表面上形成圖形的整個工藝過程，只有當(dāng)形成符合預(yù)先計
算的線寬的一套幾何圖形后，才能算結(jié)束。而釹電子制備的全部工藝過程
的成敗，很大程度決定于對半導(dǎo)體表面上形成的幾何圖形測量的精確性和
可靠性。
·’現(xiàn)在：掩膜和圓片制備的圖形尺寸在1μm的范圍內(nèi)，因此相應(yīng)的臨
界尺寸的容差在0．2～0.4μm范圍內(nèi)，并且正日趨減小。掩膜生產(chǎn)發(fā)展的
趨勢是圖形精度和生產(chǎn)批量的進一步提高。圖形尺寸的測量設(shè)備都在翻新
，變得越來越高級。在本章中，我們只能盡我們所知來綜述各種測量方法
。
各種圖形對測量設(shè)備的要求是不同的，應(yīng)該正確了解實’際的需要，
才能正確地確定所需的測量設(shè)備。對研究部門來說，由于從事的圖形的幾
何尺寸已處于科學(xué)發(fā)展的前沿，而且對測量設(shè)備的需要量特別小，因此應(yīng)
該具備最先進的測量設(shè)備。而在圓片生產(chǎn)線中情況完全不同，實行三班制
工作，一為保證質(zhì)量需對大量盼幾何尺寸進行測量。我們將闡述掩膜制備
工藝流程的各個不同步驟，并確定用于檢驗圖形的設(shè)備，整．個闡述過程
從數(shù)據(jù)磁帶的原始輸出開始，一直到集成電路芯片進行終端測試和封裝以
前的已刻蝕金屬和引線腳寬度的測量為止。
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
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