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標題：不同位置及溫度改變的微光激發(fā)熒光光譜-熒光顯微鏡廠家

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正文:

微光激發(fā)熒光光譜及顯微鏡觀察膜結(jié)構(gòu)

利用光激發(fā)熒光光譜、微光激發(fā)熒光光譜及原子力顯微鏡，來研究高銦含量氮化銦鎵（InxGa1-xN）

薄膜結(jié)構(gòu)的發(fā)光特性。由光激發(fā)熒光光譜，觀察在室溫下氮化銦鎵合金濃度分佈在0 ≦x ≦ 1之間的發(fā)光位置。

在原子力顯微鏡的影像發(fā)現(xiàn)，高銦含量（0.92≦ x ≦ 0.36）的氮化銦鎵表面有團狀物的形成，

同時在變溫光譜中，其訊號峰值隨溫度上升，有一S型的能量變化外，

半高寬變化也有不規(guī)則的改變。最后藉由不同位置及溫度改變的微光激發(fā)熒光光譜，

來加以探討這些不尋�，F(xiàn)象的原因

在半導(dǎo)體光電元件的發(fā)展過程中，尋找高效能的發(fā)光材料一直是大家努力的方向之一，

由于化合物半導(dǎo)體材料本身具有相當多的優(yōu)

點：如發(fā)光效率高、操作生命期長、能隙可調(diào)范圍大……等優(yōu)點，因此能在許多發(fā)光材料中脫穎而出。

出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科

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