標題：電子元件金屬焊接點檢測金相顯微鏡
信息分類:站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時間:2013-5-5 21:46:22
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正文:
半導體多晶片及三維封裝金線下陷
目前半導體主流的封裝連結(jié)技術(shù)方式主要有打線接合(wire bonding)和覆晶接合(flip chip)，
由于近年來電子元件不段強調(diào)輕、薄、短、小及弁鉏W加，為達到此目的，其元件內(nèi)部勢必要增加I/O 數(shù)、增加電路密度、
降低電感，所以多晶片模組(Multi-Chip Module, MCM)及三維晶片模組(3-Dimensional Package )
為近幾年新開發(fā)且常被應用的新型IC 封裝技術(shù)。但由于多晶片模組及三維晶片模組內(nèi)各晶片的厚度、
接合高度及接合跨距皆不同，欲連結(jié)不同種類之晶片弁遄A經(jīng)評估僅打線接合方法(wire bonding)適用于較為先進之
多晶片模組及三維模組封裝，所以未來打線接合仍將為先進之多晶片模組封裝主流技術(shù)，
且以高純度金線(pure gold wire)為主。
重于金線偏移與晶片封裝模流分析，但對金線基本機械性質(zhì)及微觀時機械行為尚未非常明瞭，
本研究針對微金線的基本材料機械性質(zhì)作一研究外，更針對多晶片模組封裝及三維封裝過程可能遇到的微金線
下陷性質(zhì)做進一步探討，實驗主要包含金線拉伸實驗及金線下陷實驗兩種，
以瞭解金線接合時其金線下陷受幾何形狀影響情形。
將得到的下陷勁度實驗值與ANSYS數(shù)值分析結(jié)果進行比較，瞭解不同金線接合跨距下的金線拖曳力及縱向位移下陷大小。
相信對半導體封裝微金線設計分析時，
其相對的金線接合跨距，所能承受最大金線拖曳力及縱向位移下陷能有所預測與依循。
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
特別聲明：本文出自北京上光儀器有限公司-未經(jīng)允許請勿轉(zhuǎn)載，本文地址：http://www.bjsgyq.com/news/4229.html
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