標題：奧氏體合金的晶界金屬樣品截面分析顯微鏡
信息分類:站內新聞
作者:yiyi發(fā)布
時間:2014-10-2 7:03:15
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正文:
晶界萃取碳復型的制備
要制備晶界萃取碳復型，重要的是盡可能充分地暴露合金的
晶界.并將晶界面上沉淀的第二相無遺漏地萃取下來.
所謂的“低溫斷口”技術能充分暴露奧氏體合金的晶界面。
從實驗合金中取出能提供足夠斷面尺寸的試樣。將試樣開槽后浸
人液態(tài)氮( -196℃)中，保持約30min，取出后迅速沖斷。為了避
免斷面凝霜，將斷口放進無水乙醇中，待其溫度升高后，取出吹
干(或自然千燥)，即得到所謂的“低溫斷口”。對常用的高溫合
金，特別是經時效處理后的試樣，其“低溫斷口”一般以沿晶界面
裂為主要特征，至少能為觀察研究提供足夠多的晶界面。
說明了晶界萃取碳復型的制備過程。將斷口試樣直接放入真空室噴碳，
就得到覆蓋在合金晶界面和晶界相上的一層碳膜，
即碳復型
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科