標題：微米缺陷可以在斜射光線下用目測或顯微鏡觀察
信息分類:站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時間:2015-4-2 18:26:47
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正文:
微米缺陷可以在斜射光線下用目測或顯微鏡觀察到
表面缺陷
在混合集成電路中，基片的表面性能對電路的性能和可靠性的影響是
非常大的，由于基片表面直接與淀積材料相接觸，特別是基片的表面缺
陷會在淀積過程中延伸到材料中去，根據(jù)表面缺陷尺度的大小，基片表
面缺陷大致可以分為下面四類：
1.原子尺度的缺陷：點缺陷、位錯線、解理面上的單原子突出部分。
2.亞微米尺度的缺陷：拋光劃痕、拉制玻璃時留下的傷痕、氣孔，
3.微米尺度缺陷：研磨劃痕、多晶基片材料的晶界、針孔、基片互相
摩擦產(chǎn)生的劃痕、位制玻璃時留下的痕路。
4.宏觀缺陷：表面彎曲、燒結(jié)時掉在基片上的顆粒，上彎月面等。
原子尺度的缺陷對外延伸單晶膜和氧化膜的影響頗大，對混合集合電
路來說，比較重要的是微米和亞微米尺度的缺陷，因為宏觀缺陷比較容
易觀察出來，可由生產(chǎn)單位和使用者把有宏觀缺陷的基片是出，面放亞
微米缺陷則一般不易直接觀察，更嚴重的是往往在電路生產(chǎn)過程中還會
人為地增加這些缺陷，這里要特別指出的是，在清洗、安放時基片間的
相互摩擦的不銹鋼鑷子尖對基片的劃痕，都是在生產(chǎn)過程中人為產(chǎn)生的
缺陷。為此，在清洗和烘烤基片時，最好應(yīng)將基片固定在專用夾具上。
亞微米缺陷和微米缺陷可以在斜射光線下用目測或顯微鏡觀察到。如
果在制造電路前能把這些缺陷的基片剔除，則可大大提高電路的性能和
成品率
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
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