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正文:

封裝廠會(huì)用X-ray顯微鏡檢測產(chǎn)品生產(chǎn)的良率，而在故障分析上，也會(huì)運(yùn)用X-ray顯微鏡來觀察成品的封裝接線情形，以了解為何產(chǎn)品在CP沒問題，但在封裝后的FT(final test)、可靠度測試甚至在系統(tǒng)端故障就出現(xiàn)了。

X光顯微鏡原理
X射線的波長介于0.001到10nm間，只要使高速電子瞬間減速即可達(dá)成，損失的電子動(dòng)能就以X光的形式發(fā)出。由于X光短波長的特性，使得它可以穿透物體原子的晶格，看起來就像透明一樣，而原子序越高，外層的電子多，與X光作用的機(jī)會(huì)就越大，因此X光穿透的機(jī)會(huì)較少，看起來就是較暗的，所以藉由照片的灰階對比與明暗表現(xiàn)，即可探知物體的內(nèi)部構(gòu)造，這種非破壞性的觀察方式相較于它種顯微鏡是一大優(yōu)勢

X光顯微鏡的放大倍率可用圖，其放大倍率為a+b/a，傳統(tǒng)X光投影的解析度只有到120um，為了要使解析度僅可能的縮小，那麼試片就必須儘量接近發(fā)光源，儘管如此，至目前為止，由于系統(tǒng)上的限制，X光的解析度也僅能到5um而已[3-57]，但對于封裝接線的觀察已綽綽有馀，如果要觀察晶片內(nèi)的製程結(jié)構(gòu)，則是無法勝任的。

X光顯微鏡放大倍率的原理示意圖
X光顯微鏡的觀察
傳統(tǒng)上，X光顯微鏡只是單純的用于觀察封裝的2D俯視圖，以觀察接線是否有脫離或橋接的情形(圖3.7.2~3.7.4)[3-58]，但隨著封裝技術(shù)越來越先進(jìn)，flip-chip或者BGA的構(gòu)造使得這樣的觀察法已不符需求，因此近幾年來已開發(fā)出3D的觀察法，下面就介紹兩種3D觀察法的原理。