標題：復合材料的凝固過程碳化硅顆粒研究顯微鏡
信息分類:站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時間:2016-2-4 10:17:00
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正文:
復合材料的凝固過程碳化硅顆粒研究顯微鏡
復合材料的凝固過程和界面狀態(tài)
SiC顆粒在基體中的分布訂和材料凝固速度，顆粒尺寸以及表
面微觀結構有關，本試驗中在枝晶中分布較少，而多偏聚于晶界
或共晶組織中，主要原因應歸于凝固速度不夠快，
SiC顆粒被枝晶前沿逐漸移到共晶凝固區(qū)的結果，等人的研究結
果表明，當凝固速度大于顆粒在界面前沿運動速度時，顆粒就被
固液界面吞食，當凝固速度小于時，顆粒就被排斥在固液體界面
前沿 ，顆粒尺寸小于一次、二次枝晶間距時，顆粒有可能被枝
晶吞食，反之，顆粒將被排斥到晶界上，所以，增大凝固速度，
可以進一步細化枝晶，提高粒子分布的均勻性。
試驗中發(fā)現(xiàn)，SiC顆粒和基體界面存在著3種狀態(tài)；（1）界面
有間隙（圖2），這是由于金屬液處于半凝固狀態(tài)，當顆粒出現(xiàn)
集結時，金屬液補縮通道狹窄，補縮壓力不足亂，（2）界面無
反應物，光滑平整，（3）界面有反應物生成，可見斷續(xù)反應層
，見圖3中B處，此時，基體會以SiC顆粒作為襯底生長，這些情
況產(chǎn)生于不同顆�；蛲活w粒的不同部位，并和碳化硅顆粒的表
面狀態(tài)，界面化學成分，顆粒晶面取向等因素有關。
SiC顆粒經(jīng)高溫焙燒，可去除界面微區(qū)能譜成分分析表明這里
存在著的富集，因為和氧親和力強，無論從動力學還是熱力學條
件同，都可發(fā)生下列反應生成物進一步反應生成改善了合金的潤
濕性，使得相能依附于SiC生長，但是由于預處理時不均勻，或
者同一顆粒不同位置的表面狀態(tài)不具備上述條件，導致了界面狀
態(tài)的多樣化。
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
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