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正文:
復合材料的凝固過程和界面狀態(tài)
SiC顆粒在基體中的分布訂和材料凝固速度,顆粒尺寸以及表
面
微觀結構有關,本試驗中在枝晶中分布較少,而多偏聚于晶界
或共晶組織中,主要原因應歸于凝固速度不夠快,
SiC顆粒被枝晶前沿逐漸移到共晶凝固區(qū)的結果,等人的研究結
果表明,當凝固速度大于顆粒在界面前沿運動速度時,顆粒就被
固液界面吞食,當凝固速度小于時,顆粒就被排斥在固液體界面
前沿 ,顆粒尺寸小于一次、二次枝晶間距時,顆粒有可能被枝
晶吞食,反之,顆粒將被排斥到晶界上,所以,增大凝固速度,
可以進一步細化枝晶,提高粒子分布的均勻性。
試驗中發(fā)現(xiàn),SiC顆粒和基體界面存在著3種狀態(tài);(1)界面
有間隙(圖2),這是由于
金屬液處于半凝固狀態(tài),當顆粒出現(xiàn)
集結時,金屬液補縮通道狹窄,補縮壓力不足亂,(2)界面無
反應物,光滑平整,(3)界面有反應物生成,可見斷續(xù)反應層
,見圖3中B處,此時,基體會以SiC顆粒作為襯底生長,這些情
況產(chǎn)生于不同顆;蛲活w粒的不同部位,并和碳化硅顆粒的表
面狀態(tài),界面化學成分,顆粒晶面取向等因素有關。
SiC顆粒經(jīng)高溫焙燒,可去除界面微區(qū)能譜成分分析表明這里
存在著的富集,因為和氧親和力強,無論從動力學還是熱力學條
件同,都可發(fā)生下列反應生成物進一步反應生成改善了合金的潤
濕性,使得相能依附于SiC生長,但是由于預處理時不均勻,或
者同一顆粒不同位置的表面狀態(tài)不具備上述條件,導致了界面狀
態(tài)的多樣化。
出自http://www.bjsgyq.com/
北京顯微鏡百科
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