標題：電子電路和元器件產(chǎn)生噪聲的基本原因檢測顯微鏡
信息分類:站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時間:2016-8-6 2:31:36
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正文:
電子電路和元器件產(chǎn)生噪聲的基本原因檢測顯微鏡
電荷的電子探測
光電傳感過程的最后一步是對光激發(fā)電荷包的精確電子探測。
很明顯，電子電荷探測電路只增加了數(shù)量較小的噪聲，因此即使是
非常小的電荷包，甚至可以小到一個單位電荷包，也能被準確地探
測到。
電子電路和元器件產(chǎn)生噪聲的基本原因是由于自由電子與周圍
環(huán)境發(fā)生熱相互作用而產(chǎn)生的。在組成電子元器件的導(dǎo)電材料中，
電子運動具有隨機成分，因為它們的動能不為零電子電荷探測
在室溫環(huán)境中實現(xiàn)具有優(yōu)于單電子均方根分辨率能力的電荷波
包電子探測顯然是很實際的。如果讀出噪聲的均方根小于0．2～0
．4個電子，就能實現(xiàn)真正的單電子電荷探測。
將這種單電子電荷探測電路與適合的光電探測材料相結(jié)合就能
夠?qū)崿F(xiàn)量子效率接近于100％的單光子分辨能力的光電傳感器，其
中暗電流密度能夠達到足夠小的水平，幾何填充因子接近于1個單
位量級。本書隨后的章節(jié)將介紹幾種采用混合技術(shù)實現(xiàn)的單光子電
子圖像傳感器。
由于無處不在的硅材料技術(shù)可以實現(xiàn)噪聲小于單個電子均方根
的片上和內(nèi)部像素電荷探測電路，而且在可見光和近紅外光譜范圍
，硅材料的量子效率接近于100％，像素結(jié)構(gòu)使幾何填充因子接近1
00％，因此可以制作出單片集成和性價比高的單光子電子圖像傳感
器。當前研發(fā)的背照式基于CMOS圖像傳感器技術(shù)填補了低成本單光
子圖像傳感器的空白
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
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