標(biāo)題：二維實(shí)現(xiàn)不同技術(shù)的完全集成較困難-三維封裝技術(shù)
信息分類:站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時(shí)間:2016-8-30 15:39:13
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正文:
不同技術(shù)混合集成
從技術(shù)上而言，在二維SOC上實(shí)現(xiàn)不同技術(shù)的完全集成是很困難的
。即使技術(shù)上可行，昂貴的生產(chǎn)成本和投資要求也會(huì)阻礙單個(gè)IC集成(
如SOC)技術(shù)的發(fā)展。通過(guò)首先制備出單個(gè)芯片，然后在基板上集成和堆
疊成三維結(jié)構(gòu)，多芯片模塊(MCM)和三維封裝可實(shí)現(xiàn)不同技術(shù)的混合集
成。因此，從集成技術(shù)發(fā)展前景而言，MCM和三維封裝更適合微系統(tǒng)應(yīng)
用的多種需求。
性能
三維集成的系統(tǒng)性能要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于SOC和MCM這兩種二維集成技術(shù)。三
維集成性能高的一個(gè)主要原因在于，采用很短的三維垂直互連線取代了
二維集成中較長(zhǎng)的互連線。在電路的版圖設(shè)計(jì)中，有三
種互連方式：局部互連、半整體互連和整體互連。局部互連是指功能模
塊內(nèi)單元間最短的互連；半整體互連用于相鄰模塊間的互連，長(zhǎng)度居中
；整體互連的長(zhǎng)度最長(zhǎng)，貫穿整個(gè)電路。整體互連的一個(gè)實(shí)例是在功能
模塊間實(shí)現(xiàn)塊問(wèn)的時(shí)間互連。
含硅穿孔的三維IC堆棧結(jié)構(gòu)
含硅穿孔的三維IC堆棧技術(shù)提供了一種十分可行的三維集成方案，
該技術(shù)解決了很多與三維片上集成有關(guān)的問(wèn)題。在三維IC堆棧結(jié)構(gòu)中，
由于首先單獨(dú)制造每塊IC然后堆疊在一起，因此可實(shí)現(xiàn)不同技術(shù)間的低
成本集成。堆棧結(jié)構(gòu)中的每一層可以包含不同電壓、性能和制造工藝要
求的電路。由于三維硅層采用上述非常短的垂直互連實(shí)現(xiàn)連接，IC堆棧
結(jié)構(gòu)的性能也得到改進(jìn)。
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
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