標題：氣體和液體硅片加工檢測金相顯微鏡
信息分類:站內新聞
作者:yiyi發(fā)布
時間:2016-12-5 1:04:44
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正文:
氣體和液體硅片加工檢測金相顯微鏡
氣體和液體源要求使用開管擴散系統(tǒng)。特別是必須有一個與半導體
硅片相當?shù)臒o限雜質量，這樣，雜質的分布服從余誤差函數(shù)。為了
更好地控制雜質的分布圖形，大多數(shù)的擴散采用上述的兩步擴散法
，首先，用低溫(800—l，1000攝氏度)淀積，僅在表面附近的一個
很小的區(qū)域里摻雜，然后，在無源爐內，使雜質在半導體硅片中進
行再分布。關于初擴散的計算，可先考慮它是余誤差函數(shù)，并依據(jù)
它是很淺的擴散從而計算出每平方厘米的雜質濃度。再用它作為擴
散方程的有限源的邊界條件，以得到最后的解。這樣就提供了對表
面濃度和雜質分布的控制。
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科