提問(wèn)：顯微鏡的種類(lèi)　顯微鏡的構(gòu)造圖　顯微鏡的特性

請(qǐng)給我解剖顯微鏡和複式顯微鏡和電子顯微鏡的構(gòu)造圖(中文哦)和特性就可以了~!謝謝你

不知道我的回復(fù)有沒(méi)有幫到您，如您有疑問(wèn)可在我公司在線咨詢(xún)系統(tǒng)留言詢(xún)問(wèn)��！

北京上光儀器有限公司回復(fù)：
1. 顯微鏡的種類(lèi)嚴(yán)格說(shuō)有幾十種，列出比較常見(jiàn)的幾種
a. 光學(xué)顯微鏡
b. 掃描式電子顯微鏡
c. 穿透式電子顯微鏡
d. 原子力顯微鏡

你問(wèn)的問(wèn)題好多 一篇文章講不完；我先給您將

穿透式電子顯微鏡

    穿透式電子顯微鏡具有極高的穿透能力及高解析度，已成為材料科學(xué)研究上極有效的工具之一。根據(jù)電子與物質(zhì)作用所產(chǎn)生的訊號(hào)，穿透式電子顯微鏡分析主要偵測(cè)的資料可分為三種：（1）擷取穿透物質(zhì)的直射電子(Transmitted Electron) 或彈性散射電子 (Elastic Scattering Electron) 成像；（2）作成電子繞射圖樣 (Diffraction Pattern, DP)，來(lái)作微細(xì)組織和晶體結(jié)構(gòu)的研究；（3）搭配 X-光能譜分析儀 (EDS) 或電子能量散失分析儀 (Electron Energy Loss Spectroscope, EELS) 作化學(xué)成份分析。圖3-15為一般穿透式電子顯微鏡與光學(xué)顯微鏡在結(jié)構(gòu)上差異示意圖。

穿透式電子顯微鏡的儀器系統(tǒng)可分為四部份：

  1. 電子槍?zhuān)�有鎢絲、LaB6、場(chǎng)發(fā)射式三種(與掃描式電子顯微鏡相似)。圖3-16為場(chǎng)發(fā)射電子槍結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3-16

  2. 電磁透鏡系統(tǒng)－包括聚光鏡 (Condenser lens)、物鏡 (Objective Lens)、中間鏡(Intermediate Lens)、和投影鏡 (Projective Lens)。

  3. 試片室－試片基座 (Sample Holder) 可分兩類(lèi)：側(cè)面置入 (Side Entry) 和上方置入 (Top Entry)，若需作臨場(chǎng)實(shí)驗(yàn)則可依需要配備可加熱、可冷卻、可加電壓或電流、可施應(yīng)力、或可變換工作氣氛的特殊設(shè)計(jì)基座。

  4. 影像偵測(cè)及記錄系統(tǒng)－ZnS/CdS涂佈的螢光幕或照相底片。

※穿透式電子顯微鏡分析時(shí)，通常是利用電子成像的繞射對(duì)比(Diffraction Contrast)，作成明視野 (Bright Field, BF) 或暗視野 (Dark Field, DF) 影像，并配合繞射圖樣來(lái)進(jìn)行觀察。

※穿透式電子顯微鏡的解像能主要與電子的加速電壓 (亦即波長(zhǎng)) 和像差 (Aberration) 有關(guān)。加速電壓愈高，波長(zhǎng)愈短，解析度也愈佳，同時(shí)因電子動(dòng)能增高，電子對(duì)試片的穿透力也增加，所以試片可觀察的厚度也能相對(duì)增加。另外影響解像能的因素是像差，像差的來(lái)源大致有四種：

  (1) 繞射像差 (Diffraction Aberration)－這是物理光學(xué)的基本限制。

  (2) 球面像差 (Spherical Aberration)－這是來(lái)自物鏡的缺陷，不易校正。
  (3) 散光像差 (Astigmatism)－這是由物鏡磁場(chǎng)不對(duì)稱(chēng)而來(lái)，因?yàn)閳A形對(duì)稱(chēng)軟鐵磁片製作時(shí)精度控制困難，同時(shí)顯微鏡使用中，污染的雜質(zhì)附于極片上也會(huì)導(dǎo)致像差，一般用像差補(bǔ)償器(Stigmator)產(chǎn)生與散光像差大小相同方向相反的像差來(lái)校正。如圖3-19所示。

  (4) 波長(zhǎng)散佈像差 (Chromatic Aberration)－因?yàn)殡娮拥牟ㄩL(zhǎng)會(huì)隨著加速電壓或透鏡電流不穩(wěn)而改變，也可能與試片作非彈性碰撞喪失能量，所以電磁透鏡的焦距變化與入射電子能量有關(guān)，可以據(jù)此導(dǎo)出影像模煳的半徑與波長(zhǎng)散佈像差係成正比。如圖3-20所示。

 穿透式電子顯微鏡由于具備超高解像能力，在一般的影像觀察上即比其他分析工具優(yōu)越許多，而依實(shí)際操作時(shí)可放大的倍率范圍來(lái)看，穿透式電子顯微鏡也具有相當(dāng)大的彈性 (從50 X到1,500,000 X)；最近之分析式電子顯微鏡，其組件一般可進(jìn)一步包括（1）掃瞄系統(tǒng)，以形成更細(xì)微的電子束（≦100A°），合成的機(jī)型一般稱(chēng)為掃瞄穿透式電子顯微鏡（Scanning Transmission Electron Microscope：STEM）；（2）能量分散式X-光儀 （Energy Dispersive X-ray Spectrometer：EDS），可定性定量測(cè)量極小區(qū)域的化學(xué)成份（原子序＞4）；（3）收斂束電子繞射能力（Convergent Beam Electron Diffraction：CBED），可探討極小區(qū)域的晶體結(jié)構(gòu)群等；（4）電子能量損失能譜儀（Electron Energy Loss Spectrometer：EELS），能夠定性測(cè)量小范圍的輕分素（原子序≧3），

        傳統(tǒng)電子顯微鏡的選區(qū)繞射（Selected Area Diffraction ； SAD）由于球面像差因素，造成所能分析的最小區(qū)域約為1μm。收斂束電子繞射（Convergent Beam Electron Diffraction：CBED）的技術(shù)可獲得尺寸小且收斂之探束（probe），其分析區(qū)域的范圍，可小至2nm。如此高的空間解析度，使得它廣為應(yīng)用在微米和次微米的相鑑定。CBED可在一般AEM、TEM或?qū)Ｓ眯蚐TEM進(jìn)行，其主要應(yīng)用及功能包括：（1）薄膜厚度的測(cè)定；（2）相及晶體結(jié)構(gòu)之鑑定；（3）晶體對(duì)稱(chēng)性的決定；（4）量測(cè)晶格參數(shù)等。另外，CBED亦能提供例如計(jì)算原子位能以及非晶質(zhì)材料局部結(jié)構(gòu)等有用的資料。

    電子能量損失能譜儀是指穿透過(guò)試片的高能電子束其損失的能量與強(qiáng)度的關(guān)係圖。由于電子束在試片內(nèi)與物質(zhì)的作用相當(dāng)複雜，因此，穿透試片的電子帶有相當(dāng)多關(guān)于物質(zhì)物理、化學(xué)以及電子方面的訊息，從EELS 上我們可做試片厚度的測(cè)量、元素的鑑定以及化學(xué)成分的顯微分析（EDS），成為解析化學(xué)成分的有效工具。如圖3-21所示，EELS區(qū)別不同損失能量電子的方法是利用攜帶不同能量的電子經(jīng)過(guò)一設(shè)計(jì)的稜鏡磁場(chǎng)其偏折的位置不同，因此EELS的偵測(cè)器在不同時(shí)間偵測(cè)不同能量的電子，這與EDS有相當(dāng)大的差別。

    TEM在材料科學(xué)研究領(lǐng)域中，已經(jīng)被廣泛而充分地發(fā)揮其多功能特性，舉凡金屬材料、陶瓷材料、電磁材料、複合材料及高溫超導(dǎo)材料等，皆有利用的實(shí)例，以下將歸類(lèi)穿透式電子顯微鏡的主要功用及限制：（1）在形象（Morphology）觀察方面，對(duì)材料結(jié)構(gòu)有敏銳的分辨力；（2）微細(xì)結(jié)構(gòu)的觀察（晶格影像）；（3）藉著電子繞射圖樣分析，在試片觀察時(shí)擁有方向感；（4）搭配試片基座的傾斜功能，可以進(jìn)行結(jié)構(gòu)性缺陷的特性分析；（5）配備冷卻/加熱/可變電性的試片基座，可在顯微鏡內(nèi)同步觀察材料結(jié)構(gòu)的變化。然而無(wú)可避免的，穿透式電子顯微鏡分析也有其限制，其主要缺點(diǎn)包括：（1）試片的大小必須在3 mm以下，是一種破壞性分析，而且試片製備所需的時(shí)間較長(zhǎng)；（2）基于電子束有限的穿透力，通常最理想的觀察厚度在 500-1000 埃之間；（3）試片製備非常困難，成功率相對(duì)降低。

點(diǎn)擊咨詢(xún)： 　　
有任何疑問(wèn)可咨詢(xún)電話： 010-64034191 / 010-84021761