氮化鈦薄膜表面，經(jīng)掃描電子顯微鏡觀察發(fā)現(xiàn)，濺鍍時(shí)間與晶粒大小并無(wú)明顯相關(guān)性。

2.濺鍍時(shí)間會(huì)影響氮化鈦薄膜之顏色，時(shí)間由短至長(zhǎng)所導(dǎo)致的變化依序?yàn)椋簻\黃à金黃à深黃à紫à深藍(lán)à淺藍(lán)。

3.利用Alpha-Step量測(cè)后可得知，成長(zhǎng)速率最快的濺鍍條件為濺射電源800 V，偏壓電源50 V，氮?dú)饬?0 sccm，其成長(zhǎng)速率為11.95 nm/min。成長(zhǎng)速率最慢的濺鍍條件為濺射電源900 V，偏壓電源100 V，氮?dú)饬?0 sccm，其成長(zhǎng)速率為1.34 nm/min。

4.經(jīng)EDS分析，可得知此實(shí)驗(yàn)所制備之薄膜，確實(shí)含有Ti以及N的成分。將濺射電源700 V、偏壓電源100 V、氮?dú)饬?0 sccm、濺鍍時(shí)間40分鐘所制備的薄膜，做EDS分析，得知，在0.5、4.5、5.0 keV的位置出現(xiàn)Ti的訊號(hào)，在0.4 keV則出現(xiàn)N的訊號(hào)，在0.6 keV與1.9 keV分別有O以及Si的訊號(hào)。

5. 經(jīng)XRD分析薄膜后，得知2θ角在37.5°、43.6°、63.5°、68.8°、及78.3°的地方，分別出現(xiàn)(103)、(200)、(220)、(301)、及(224)等Ti2N結(jié)構(gòu)的繞射峰。

6. 薄膜經(jīng)阻抗分析儀在室溫下，掃描頻率范圍為40 Hz ~ 30 MHz之間進(jìn)行測(cè)量，發(fā)現(xiàn)介電常數(shù)會(huì)隨著頻率的增加，先略為下降再上升。

7. 濺射條件為濺射電源900 V、偏壓電源100 V、氮?dú)饬?0 sccm下所制備之氮化鈦薄膜，于掃描頻率1 MHz下，發(fā)現(xiàn)在濺鍍時(shí)間為15分鐘時(shí)有最大的介電常數(shù)值，183。

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