標(biāo)題：電子陶瓷中晶粒的平均粒徑測量多功能圖像顯微鏡
信息分類:站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時間:2015-12-19 15:58:13
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正文:
二次晶粒長大與氣孔的陷入
在一般的電子陶瓷中二次粒長是屢見不鮮的，其粒長速度，與坯
料粉粒的細(xì)度有明顯的關(guān)系，通�？梢缘玫饺鐖D3-31所示的規(guī)律性
，即粉料徑越細(xì)，二次粒長速度越大，最終的二次粒徑也越大，粉
料粒徑愈粗，二次粒長速度愈慢，則二次粒長所生長的粗粒最終粒
徑，比細(xì)燃料時還要小，從圖3-31中可以看出，當(dāng)初始粒徑達(dá)60微
米，而當(dāng)初始粒徑為10微米，最終粒徑卻不到50微米，出現(xiàn)象曾經(jīng)
使人困惑不解，但當(dāng)你知道二次粒長的機(jī)制之后，則對這種現(xiàn)象就
不會奇怪了，因為粉料的初粒愈強(qiáng)，一次晶粒的平均粒徑較小，出
現(xiàn)偶然粗粒的可能性也較大，故使二次晶粒成核容易，恒速長大時
的粒長速度也大，故極易長大型二次晶粒，當(dāng)粉料的初粒徑較大時
，則正好相反，一次晶粒的平均粒徑較大，后期恒速長大時的速度
也較慢，故形成的二次晶粒也就比較小，所以坯料粉料愈細(xì)，愈要
注意防止二次粒長的發(fā)生。
在二次粒長的過程中，有時也會出現(xiàn)非常平直的界面，表面張力
，粒界平衡的情況是不大一致的，這種平直粒界幾乎全都出現(xiàn)在燒
結(jié)過程中存在少量液相、且又能完全潤濕和包裹晶粒表面的場合，
特大晶粒所暴露的外面的，是其自身晶系中，質(zhì)點(diǎn)排列最密集、表
面自由能最低的表面，故在通過液相作用的溶入-析出過程中，將
有大量質(zhì)點(diǎn)在這種自由能最低的表面上定居，而和它相鄰的小晶粒
或尖凸粒面，將大量的溶入液相之中，其結(jié)果必然使大量的液-固
界面消失，使物系自由能顯著降低，由于少量液相的阻隔，故相鄰
小粒和粒界取向或曲率、外形，對平直界面都失去了約束作用，不
能影響其表面的構(gòu)型，在與這種巨大平面相潤濕的液膜中，基質(zhì)的
濃度、或其溶入析出過程不見得到處都能均勻一致，但為了要保持
平面的連續(xù)推進(jìn)，故在個別濃度小，凝集慢的地方，將出現(xiàn)局部缺
陷，如粗粒中黑點(diǎn)所示，故粗粒仍遠(yuǎn)非理想的單晶。
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
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