標題：印刷晶體底柵型結構燒結-電路焊接分析顯微鏡
信息分類:站內新聞
作者:yiyi發(fā)布
時間:2017-5-16 1:06:44
將本頁加入收藏
下一篇：墨打印設備的研究線條粗糙度-液滴干燥技術
上一篇：印刷電子物理、油墨化學及配方-噴墨印刷技術
點擊查看產品參數(shù)和報價--丨--
---
---
---
正文:
印刷晶體底柵型結構燒結-電路焊接分析顯微鏡
印刷晶體管：工藝集成
通常．打印晶體管具有兩種常見的結構 一頂柵型結構和底柵
型結構。在頂柵型結構中，首先印刷的是溝道結構．接著是柵極電
介質和柵電極。而在底柵型結構中，過程則是相反的，柵電極和柵
極電介質先于溝道印刷。兩種結構都有各自的優(yōu)缺點，究競選取哪
種結構主要取決于所采用的材料系統(tǒng)。
頂柵型和底柵型晶體管結構對比
頂柵型結構中，半導體在柵極電介質和柵電極之前優(yōu)先印刷。
這種結構具有以下幾個優(yōu)點：首先，由于半導體是置于已知界面上
的(通常來說即襯底本身)，襯底通常具有確定的化學成分，且表面
非常光滑，因此可以確保印刷半導體的性能。流經晶體管的電流非
�？拷雽w介質面。因此，在頂柵型結構的晶體管中．電流實際
上就在靠近半導體的頂界面上流通．這同樣也會進一步保證生產出
的晶體管的性能。同時，由于半導體層是被電介質和柵極所包覆的
。因而可以保護半導體層免受后續(xù)工藝過程的損壞。
頂柵型結構的缺點主要是：由于半導體層是在第一層放置的，
因此有可能會受到后續(xù)工藝過程中熱循環(huán)和溶劑的影響，從而降低
晶體管的性能。
而在底柵型結構中，一方面由于印刷半導體一般是最后一步工
序．唯一可能的后續(xù)步驟是包覆一層保護電路的絕緣層。因此，底
柵型結構中半導體材料可以保持較高的性能。另一方面，由于底柵
型結構的晶體管中．半導體層是在柵極和電極之后印刷的，因此相
較于頂柵型結構晶體管而言．半導體層所依附的界面相對粗糙．性
能不夠理想。所以．相對于優(yōu)化的頂柵型結構而言，底柵型結構晶
體管的半導體層的秩序化程度和形貌較差。
因此，綜合來講，兩種晶體管各有優(yōu)缺點。究竟選取哪種結構
取決于所采用的材料體系。例如．當采用燒結步驟．而且半導體熱
不穩(wěn)定時，更適合采用底柵型結構，這是因為后續(xù)的燒結步驟會降
低頂柵型結構晶體管中半導體性能。鑒于這種狀況，我們有必要單
獨討論這兩種結構，并明確與之相關聯(lián)的特殊工藝過程
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科