在透明導電膜中，氧化鋅(ZnO)薄膜具有顯著的c 軸優(yōu)先成長取向及透明性，而且具有較低的電阻率及良好的光穿透度， 因此被廣泛地應用于聲電及聲光元件。此外，氧化鋅薄膜的表面織構化或坑洞化的表面型態(tài)，對于光學元件 （如：太陽能電池）具有強化陷光(enhanced light trapping)的應用。一般氧化鋅薄膜的電阻偏高(約為1-100 Ω-cm)， 其導電特性主要受制于氧空缺、鋅間隙原子與摻雜的金屬離子。氧化鋅薄膜的性質深受其制備參數(shù)所影響。 以氧化鋅摻鈦(Ti -doped ZnO)薄膜是于較低的真空壓力中利用陰極電漿電弧系統(tǒng)來沈積。探討靶材功率、 工作氣氛和薄膜厚度對于氧化鋅摻鈦薄膜的結構及光學性質之影響是本研究的重點之一。 實驗氧化鋅摻鈦薄膜來研究其微結構、電及光學性質。